casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / ERA-1AEB8870C
Número da peça de fabricante | ERA-1AEB8870C |
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Número da peça futura | FT-ERA-1AEB8870C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERA-1A |
ERA-1AEB8870C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 887 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.05W, 1/20W |
Composição | Thin Film |
Características | Automotive AEC-Q200 |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.010" (0.26mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-1AEB8870C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERA-1AEB8870C-FT |
ERA-1AEB2670C
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ERA-1AEB2671C
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A54SX16A-TQ144I
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEA5H2F35I2N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XC6SLX25T-2CSG324C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel