casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / ER58R10JT
Número da peça de fabricante | ER58R10JT |
---|---|
Número da peça futura | FT-ER58R10JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ER, CGS |
ER58R10JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 100 mOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 7W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±200ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.315" Dia x 0.874" L (8.00mm x 22.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER58R10JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ER58R10JT-FT |
ER74200RJT
TE Connectivity Passive Product
ER74220RFT
TE Connectivity Passive Product
ER74220RJT
TE Connectivity Passive Product
ER7422RJT
TE Connectivity Passive Product
ER74240RJT
TE Connectivity Passive Product
ER74270RJT
TE Connectivity Passive Product
ER7427RJT
TE Connectivity Passive Product
ER742K2JT
TE Connectivity Passive Product
ER742K7JT
TE Connectivity Passive Product
ER742R0JT
TE Connectivity Passive Product
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel