casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / ER5810RJT
Número da peça de fabricante | ER5810RJT |
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Número da peça futura | FT-ER5810RJT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ER, CGS |
ER5810RJT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 10 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 7W |
Composição | Wirewound |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | 0/ +60ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.315" Dia x 0.874" L (8.00mm x 22.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER5810RJT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ER5810RJT-FT |
ER74R01KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R10KT
TE Connectivity Passive Product
ER74R22KT
TE Connectivity Passive Product
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ER74R03JT
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ER74R045JT
TE Connectivity Passive Product
ER74R047JT
TE Connectivity Passive Product
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel