casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ER1J-TP
Número da peça de fabricante | ER1J-TP |
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Número da peça futura | FT-ER1J-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ER1J-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Preliminary |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA, HSMB |
Temperatura de funcionamento - junção | -50°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1J-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ER1J-TP-FT |
D740N40TXPSA1
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D740N42TXPSA1
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D770N12TXPSA1
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D770N20TXPSA1
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D820N28TXPSA1
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
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M1A3P1000L-1FGG144I
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LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
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