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Número da peça de fabricante | ER1025-32JP |
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Número da peça futura | FT-ER1025-32JP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ER1025 |
ER1025-32JP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 270mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 90MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-32JP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ER1025-32JP-FT |
ER1025-10JP
API Delevan Inc.
ER1025-10JR
API Delevan Inc.
ER1025-10JS
API Delevan Inc.
ER1025-10KM
API Delevan Inc.
ER1025-10KP
API Delevan Inc.
ER1025-11JM
API Delevan Inc.
ER1025-11JP
API Delevan Inc.
ER1025-11JR
API Delevan Inc.
ER1025-11JS
API Delevan Inc.
ER1025-12JM
API Delevan Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel