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Número da peça de fabricante | ER1025-30JR |
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Número da peça futura | FT-ER1025-30JR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ER1025 |
ER1025-30JR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 2.7µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 335mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 37 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 100MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-30JR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ER1025-30JR-FT |
ER1025-08KM
API Delevan Inc.
ER1025-08KP
API Delevan Inc.
ER1025-09JM
API Delevan Inc.
ER1025-09JP
API Delevan Inc.
ER1025-09JR
API Delevan Inc.
ER1025-09JS
API Delevan Inc.
ER1025-10JM
API Delevan Inc.
ER1025-10JP
API Delevan Inc.
ER1025-10JR
API Delevan Inc.
ER1025-10JS
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel