casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / EPC2051
Número da peça de fabricante | EPC2051 |
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Número da peça futura | FT-EPC2051 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eGaN® |
EPC2051 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Vgs (máx.) | +6V, -4V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 258pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
Pacote / caso | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2051 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EPC2051-FT |
FDMC7672S-F126
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A3PE600-1PQG208I
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AT6002-4AC
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5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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10AX115U2F45I2SGE2
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