casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / EPC2016
Número da peça de fabricante | EPC2016 |
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Número da peça futura | FT-EPC2016 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eGaN® |
EPC2016 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
Vgs (máx.) | +6V, -5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
Pacote / caso | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2016 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EPC2016-FT |
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