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EPC2016 Image

EPC EPC2016

Número da peça MFG
EPC2016
Quantidade disponível
91220 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
EPC
Descrição breve
eGaN® GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
EPC2016.pdf
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EPC2016 Especificações

Número da peça de fabricante EPC2016
Número da peça futura FT-EPC2016
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series eGaN®
EPC2016 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) -
Temperatura de operação -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Die
Pacote / caso Die
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2016 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição EPC2016-FT

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