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EPC2012C Image

EPC EPC2012C

Número da peça MFG
EPC2012C
Quantidade disponível
67740 Peças
Preço de referência
USD 0.952
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
EPC
Descrição breve
eGaN® GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
EPC2012C.pdf
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EPC2012C Especificações

Número da peça de fabricante EPC2012C
Número da peça futura FT-EPC2012C
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series eGaN®
EPC2012C Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Vgs (máx.) +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) -
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Die Outline (4-Solder Bar)
Pacote / caso Die
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012C Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição EPC2012C-FT

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