casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMH6T2R
Número da peça de fabricante | EMH6T2R |
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Número da peça futura | FT-EMH6T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMH6T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH6T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMH6T2R-FT |
RN1907,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4983,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5ES
Intel
EP4SGX360HF35C2N
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel