casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMH10FHAT2R
Número da peça de fabricante | EMH10FHAT2R |
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Número da peça futura | FT-EMH10FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
EMH10FHAT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH10FHAT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMH10FHAT2R-FT |
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-2000HE-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000L-FG484I
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A54SX32A-1FG256
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
5SGXEABN3F45C2L
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
EP3SE110F1152I4LN
Intel
LFE2M50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4
Intel
EP1K100QC208-3N
Intel