casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMH10FHAT2R
Número da peça de fabricante | EMH10FHAT2R |
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Número da peça futura | FT-EMH10FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
EMH10FHAT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH10FHAT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMH10FHAT2R-FT |
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XCV400-5FG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2N
Intel
5SGSMD8N3F45C2N
Intel
5SGXMA7H1F35C2LN
Intel
XC7K420T-3FFG1156E
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation