casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMH10FHAT2R
Número da peça de fabricante | EMH10FHAT2R |
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Número da peça futura | FT-EMH10FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
EMH10FHAT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH10FHAT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMH10FHAT2R-FT |
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC3S50-4PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BGG272M
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H2F35I2LN
Intel
LFE2M70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC240-4
Intel