casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMG1T2R
Número da peça de fabricante | EMG1T2R |
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Número da peça futura | FT-EMG1T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMG1T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG1T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMG1T2R-FT |
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4909(T5L,F,T)
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RN4910(T5L,F,T)
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RN4911(T5L,F,T)
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RN4984(T5L,F,T)
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RN4986(T5L,F,T)
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A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
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M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
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5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel