casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF8T2R
Número da peça de fabricante | EMF8T2R |
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Número da peça futura | FT-EMF8T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF8T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 320MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF8T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF8T2R-FT |
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
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RN2910(T5L,F,T)
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RN2911(T5L,F,T)
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RN4901(T5L,F,T)
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RN4901,LF
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RN4902,LF
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RN4903(T5L,F,T)
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RN4904(T5L,F,T)
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
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A3PN250-VQG100I
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EP4CE30F23C7
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5SGSED8K3F40C4N
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5CGXFC5F6M11I7N
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EP1K30QC208-1N
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