casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF8T2R
Número da peça de fabricante | EMF8T2R |
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Número da peça futura | FT-EMF8T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF8T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 320MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF8T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF8T2R-FT |
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
EX256-TQ100
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XC2VP20-5FG676I
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XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
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AGL030V2-VQ100
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EP4SGX290KF40C4N
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LFXP2-8E-5FT256I
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ICE40LP1K-CM81TR1K
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EP20K400ERC240-3
Intel