casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF24T2R
Número da peça de fabricante | EMF24T2R |
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Número da peça futura | FT-EMF24T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF24T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 180MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF24T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF24T2R-FT |
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel