casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF24T2R
Número da peça de fabricante | EMF24T2R |
---|---|
Número da peça futura | FT-EMF24T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF24T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 180MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF24T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF24T2R-FT |
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F40C4N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
5SGSMD6N1F45C2LN
Intel
XC4VLX100-12FF1148C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel