casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF21T2R
Número da peça de fabricante | EMF21T2R |
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Número da peça futura | FT-EMF21T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF21T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 12V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 260MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF21T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF21T2R-FT |
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
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RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
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RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A100T-1FTG256C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
10M08DCF484I7G
Intel
5SGXMA4K1F40C1N
Intel
5SGXMA5N3F45I3LN
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4044XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
10AX032E1F29E1SG
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel