casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMF17T2R
Número da peça de fabricante | EMF17T2R |
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Número da peça futura | FT-EMF17T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMF17T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 140MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF17T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMF17T2R-FT |
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5ES
Intel
EP4SGX360HF35C2N
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel