casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD30T2R
Número da peça de fabricante | EMD30T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD30T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD30T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 30V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 260MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD30T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD30T2R-FT |
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6005A-2AI
Microchip Technology
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
EP2AGX125DF25I5
Intel
EP3C5M164I7N
Intel
5AGZME5H3F35I4N
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40HX8K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation