casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD22T2R
Número da peça de fabricante | EMD22T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD22T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD22T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 2.5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD22T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD22T2R-FT |
RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF(CT
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RN1906,LF(CT
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RN1907,LF(CT
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RN2902,LF(CT
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RN2903,LF(CT
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RN2904,LF(CT
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RN4901,LF(CT
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RN4905,LF(CT
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RN4907,LF
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
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ICE65L01F-LQN84C
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A3PN250-VQG100I
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EP4CE30F23C7
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5CGXFC5F6M11I7N
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10AX016E4F29E3SG
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