casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD22FHAT2R
Número da peça de fabricante | EMD22FHAT2R |
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Número da peça futura | FT-EMD22FHAT2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
EMD22FHAT2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD22FHAT2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD22FHAT2R-FT |
RN2507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2505TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1501(TE85L,F)
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RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906,LF
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RN2911,LF
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RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
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5CGXFC5F6M11I7N
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5SGXMA3K2F35I3LN
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10AX016E4F29E3SG
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