casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMB10T2R

| Número da peça de fabricante | EMB10T2R |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-EMB10T2R |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| EMB10T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | 250MHz |
| Potência - Max | 150mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EMB10T2R Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | EMB10T2R-FT |

RN2902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903,LF(CT
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RN2904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation

AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation

M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation

EP1S20F484C6
Intel

A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation

XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.

A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation

AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation

10AX090N4F45I3SG
Intel

EP1S30F1020C7
Intel