casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMB10T2R
Número da peça de fabricante | EMB10T2R |
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Número da peça futura | FT-EMB10T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMB10T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB10T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMB10T2R-FT |
RN2902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF(CT
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RN4901,LF(CT
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RN4983,LF(CT
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RN4987,LF(CT
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RN1901,LF(CT
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LFE2-6E-5T144I
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M1A3P600-1FG484
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M1AFS250-FG256
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