Número da peça de fabricante | EM 2V1 |
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Número da peça futura | FT-EM 2V1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EM 2V1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2V1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EM 2V1-FT |
SJPA-L3V
Sanken
SJPB-D4V
Sanken
SJPB-D6V
Sanken
SJPB-D9V
Sanken
SJPB-D9VL
Sanken
SJPB-H4V
Sanken
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
SJPB-L6V
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel