Número da peça de fabricante | EM 1AW |
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Número da peça futura | FT-EM 1AW |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EM 1AW Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 1A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1AW Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EM 1AW-FT |
CRS10I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I40B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS30I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation