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Número da peça de fabricante | ELL-CTV5R6N |
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Número da peça futura | FT-ELL-CTV5R6N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-CTV5R6N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 4.9A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 11 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV5R6N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-CTV5R6N-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel