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Número da peça de fabricante | ELL-CTV4R7N |
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Número da peça futura | FT-ELL-CTV4R7N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-CTV4R7N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 5.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 9.9 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV4R7N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-CTV4R7N-FT |
ELL-6GM470M
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XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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5CEFA9F31C8N
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5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
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