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Número da peça de fabricante | ELL-CTV2R0N |
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Número da peça futura | FT-ELL-CTV2R0N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-CTV2R0N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 6.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 5.6 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV2R0N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-CTV2R0N-FT |
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ELL-4LM100M
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel