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Número da peça de fabricante | ELL-ATV180M |
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Número da peça futura | FT-ELL-ATV180M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | V |
ELL-ATV180M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 18µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.5A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 38 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATV180M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-ATV180M-FT |
ELJ-FA181KF
Panasonic Electronic Components
ELJ-FA1R0JF2
Panasonic Electronic Components
ELJ-FA1R0KF2
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ELJ-FA1R2JF2
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ELJ-FA1R2KF2
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ELJ-FA1R5KF
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ELJ-FA1R8JF
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ELJ-FA1R8KF
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ELJ-FA220JF
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel