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Número da peça de fabricante | ELL-ATP3R3NB |
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Número da peça futura | FT-ELL-ATP3R3NB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | P |
ELL-ATP3R3NB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 5.5A |
Atual - saturação | 5.35A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 7.5 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard, Corner Terminals |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATP3R3NB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-ATP3R3NB-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel