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Número da peça de fabricante | ELL-ATP2R7NB |
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Número da peça futura | FT-ELL-ATP2R7NB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | P |
ELL-ATP2R7NB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.7µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 6.5A |
Atual - saturação | 5.5A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 6.4 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard, Corner Terminals |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATP2R7NB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-ATP2R7NB-FT |
ELL-VFG2R2NC
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ELL-VFG220MC
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APA300-PQ208
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LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation