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Número da peça de fabricante | ELL-6SH680M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6SH680M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | H |
ELL-6SH680M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 68µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 500mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 520 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH680M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6SH680M-FT |
ELJ-FA6R8JF
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ELJ-FA6R8KF
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ELJ-FA820JF
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ELJ-FAR33MF2
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XC3S1200E-5FT256C
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XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel