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Número da peça de fabricante | ELL-6SH181M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6SH181M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | H |
ELL-6SH181M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 180µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 300mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.3 Ohm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH181M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6SH181M-FT |
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Intel
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5SGXEA7K3F40C2
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XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel