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Número da peça de fabricante | ELL-6RH1R0M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6RH1R0M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | H |
ELL-6RH1R0M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 19 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.110" (2.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6RH1R0M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6RH1R0M-FT |
ELJ-FA6R8KF
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ELJ-FA820JF
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XC4005XL-2TQ144C
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
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EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
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