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Número da peça de fabricante | ELL-6GG150M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6GG150M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-6GG150M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 15µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 900mA |
Atual - saturação | 800mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 210 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.063" (1.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GG150M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6GG150M-FT |
ELL-8TP101MB
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ELL-8TP151MB
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ELL-8TP102MB
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel