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Número da peça de fabricante | ELL-5GM150M |
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Número da peça futura | FT-ELL-5GM150M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-5GM150M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 15µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 650mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 250 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.205" L x 0.205" W (5.20mm x 5.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-5GM150M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-5GM150M-FT |
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel