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Número da peça de fabricante | ELL-4LG6R2NAM |
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Número da peça futura | FT-ELL-4LG6R2NAM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-4LG6R2NAM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | 930mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 140 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4LG6R2NAM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-4LG6R2NAM-FT |
ELJ-NJ15NJF2
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ELJ-NJ18NGF2
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XA6SLX25-3FGG484Q
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XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EPF81188ARC240-4AA
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel