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Número da peça de fabricante | ELL-4LG2R2NA |
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Número da peça futura | FT-ELL-4LG2R2NA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-4LG2R2NA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.7A |
Atual - saturação | 1.5A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 55 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4LG2R2NA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-4LG2R2NA-FT |
ELL-6UH270M
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LFEC3E-4TN144C
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel