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Número da peça de fabricante | ELL-3GM6R8N |
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Número da peça futura | FT-ELL-3GM6R8N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-3GM6R8N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 650mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 280 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM6R8N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-3GM6R8N-FT |
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XC3S1200E-4FT256C
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XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel