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Número da peça de fabricante | ELL-3GM4R3N |
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Número da peça futura | FT-ELL-3GM4R3N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-3GM4R3N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.3µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 720mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 220 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM4R3N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-3GM4R3N-FT |
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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10AX090S4F45E3SG
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