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Número da peça de fabricante | ELL-3GM3R9N |
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Número da peça futura | FT-ELL-3GM3R9N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-3GM3R9N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 940mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 140 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM3R9N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-3GM3R9N-FT |
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XA6SLX45-3CSG484I
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XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation