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Número da peça de fabricante | ELL-3GM2R2N |
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Número da peça futura | FT-ELL-3GM2R2N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | M |
ELL-3GM2R2N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM2R2N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-3GM2R2N-FT |
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M2GL010S-1FGG484I
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5SGXMB5R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC4005L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5M13C7N
Intel