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Número da peça de fabricante | ELJ-RG1N0DF |
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Número da peça futura | FT-ELJ-RG1N0DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RG |
ELJ-RG1N0DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 1nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 550mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 4 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 20GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.012" (0.31mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RG1N0DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELJ-RG1N0DF-FT |
ELJ-FJR18JF2
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ELJ-FJR22GF2
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ELJ-FJR39JF2
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel