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Número da peça de fabricante | ELJ-RF2N2DF |
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Número da peça futura | FT-ELJ-RF2N2DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | RF |
ELJ-RF2N2DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 2.2nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 6GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -20°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-RF2N2DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELJ-RF2N2DF-FT |
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation