casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ELJ-QF4N7DF
Número da peça de fabricante | ELJ-QF4N7DF |
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Número da peça futura | FT-ELJ-QF4N7DF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QF |
ELJ-QF4N7DF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ceramic |
Indutância | 4.7nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 360mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 4.8GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-QF4N7DF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELJ-QF4N7DF-FT |
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Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
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XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
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LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
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EP4SGX70DF29I3
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