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Número da peça de fabricante | ELJ-QF2N4ZF |
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Número da peça futura | FT-ELJ-QF2N4ZF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QF |
ELJ-QF2N4ZF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ceramic |
Indutância | 2.4nH |
Tolerância | ±0.2nH |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 5.5GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-QF2N4ZF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELJ-QF2N4ZF-FT |
ELC-10E820L
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ELC-10E821L
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ELC-10E822L
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel