casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / ELJ-NDR10JF
Número da peça de fabricante | ELJ-NDR10JF |
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Número da peça futura | FT-ELJ-NDR10JF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ND |
ELJ-NDR10JF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 100nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 285mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 860 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 800MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -20°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELJ-NDR10JF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELJ-NDR10JF-FT |
ELJ-RER15JFA
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XC3S400-4FGG456C
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A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
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5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation