Número da peça de fabricante | EGP30C |
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Número da peça futura | FT-EGP30C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EGP30C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AD, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EGP30C-FT |
1N3893R
GeneSiC Semiconductor
1N3883
GeneSiC Semiconductor
1N3881R
GeneSiC Semiconductor
1N3881
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1N3883R
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1N3892R
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1N3879R
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1N3892
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LCMXO2280E-3TN100I
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M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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