Número da peça de fabricante | EG01V0 |
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Número da peça futura | FT-EG01V0 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EG01V0 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 700mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 700mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 100ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EG01V0 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EG01V0-FT |
AU02WK
Sanken
AU02WS
Sanken
AU02Z
Sanken
AU02ZV
Sanken
AU02ZV0
Sanken
AU02ZWK
Sanken
AU02ZWS
Sanken
B320AQ-13-F
Diodes Incorporated
B330AQ-13-F
Diodes Incorporated
B345CE-13
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel