casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / EFC6601R-TR
Número da peça de fabricante | EFC6601R-TR |
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Número da peça futura | FT-EFC6601R-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EFC6601R-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | - |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFBGA, FCBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EFCP2718-6CE-020 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC6601R-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EFC6601R-TR-FT |
NVMFD5489NLT1G
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NVMFD5C674NLWFT1G
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NTMFD5C470NLT1G
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NVMFD5852NLT1G
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XA3S250E-4TQG144Q
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EP20K100ETC144-3
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XC3S400-4FT256I
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XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP1C6Q240C8
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EP20K100EQC240-1X
Intel