casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / EEV-HB1E4R7R
Número da peça de fabricante | EEV-HB1E4R7R |
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Número da peça futura | FT-EEV-HB1E4R7R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB |
EEV-HB1E4R7R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Capacitância | 4.7µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 25V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Polarização | Polar |
Classificações | AEC-Q200 |
Aplicações | Automotive |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 22mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | - |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | - |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Superfície de montagem em superfície | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Radial, Can - SMD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB1E4R7R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EEV-HB1E4R7R-FT |
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EEE-HBC220UAR
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LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S150-6PQ208C
Xilinx Inc.
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2VQ100
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5AGXBA7D4F27C4N
Intel
M1AFS1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3
Intel
EP20K60EFC324-3
Intel