casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / EEE-HB0G470R
Número da peça de fabricante | EEE-HB0G470R |
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Número da peça futura | FT-EEE-HB0G470R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HB |
EEE-HB0G470R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 47µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 4V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Polarização | Polar |
Classificações | AEC-Q200 |
Aplicações | Automotive |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 34mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 57.8mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | - |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.228" (5.80mm) |
Superfície de montagem em superfície | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Radial, Can - SMD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEE-HB0G470R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EEE-HB0G470R-FT |
EEE-HD0J331AP
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XC2S150-5PQG208C
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M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C7
Intel
XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation