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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Image

Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Número da peça MFG
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Quantidade disponível
53790 Peças
Preço de referência
USD 4.157104
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Micron Technology Inc.
Descrição breve
- IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Memória
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Especificações

Número da peça de fabricante EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Número da peça futura FT-EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo de memória Volatile
Formato de memória DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamanho da memória 512Mb (16M x 32)
Freqüência do relógio 533MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página -
Tempo de acesso -
Interface de memória Parallel
Tensão - fonte 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de operação -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 134-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 134-VFBGA (10x11.5)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição EDB5432BEBH-1DAAT-F-D-FT

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